當前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > > 掩膜曝光光刻機 > MSMA-1200M光刻機Mask MSMA
簡要描述:MYCRO*荷蘭光刻機(光刻機Mask MSMA),是的光刻系統(tǒng),為半導體制造和科研領(lǐng)域提供品質(zhì)優(yōu)良穩(wěn)定的全波段紫外光刻機系統(tǒng),廣泛的應(yīng)用于半導體光刻工藝制程、微機電MEMS、二極管芯片、發(fā)光二極體(LED)芯片制造、生物器件、納米科技、顯示面板LCD、光電器件、奈米壓印以及電子封裝等諸多領(lǐng)域。客戶如美國航空航天公司、飛利浦、摩托羅拉、惠普、牛津大學、劍橋大學、斯坦福大學、倫敦大學等等。
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光刻機分為半自動和全自動兩大系列。SMA-600M是用于研發(fā)和多產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域的手動掩模對準儀,采用清晰的光學系統(tǒng)和*非接觸式校準單元。通過接觸或接近模式可以曝光到Z大φ150mm的晶片。它是曝光工藝中Z適合用于各種電子設(shè)備的系統(tǒng),例如LD,LED等化合物半導體,以及包括壓力傳感器等在內(nèi)的微型機械的制造工藝。
二、技術(shù)參數(shù):
1、光掩模的尺寸:5英寸Z大;
2、晶片大小:Z高4英寸(無定形);
3、掩模架滑動:手動卡盤;
4、模板移動:X=±3mm, Y=±3mm;
5、曝光方法:支持接近式曝光,各種接觸式(軟接觸/硬接觸/間隙印刷/真空接觸/低真空接觸)曝光;
6、照明:250W超高壓水銀燈
7、照明不均勻性:±5%
8、有效接觸面積:直徑o100毫米
9、分辨率:3mµL/S
10、對齊方法:通過攝像頭查看
11、對齊物鏡:10 x(上/下)
12、總放大倍率:100 x
13、物鏡分離:15˜90毫米
14、對準范圍:X,Y=±4毫米
15、對準間隙:99年09年µm
16、對準精度:小于±5毫米
17、主機電源:100-200交流,50/60Hz, 15A (600W)
18、氮氣:0.4˜0.5 Mpa
19、真空壓力:小于21.3kPa(大氣壓-80kPa)
三、產(chǎn)品特點:
用于研發(fā),多產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域
技術(shù)的前沿
采用*非接觸式校準系統(tǒng)
校準時不會損壞掩模和晶圓
間隙精度的顯著提高
基于“輔助線”的高精度對準是可能的
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