MicroChem光刻膠是芯片制造過程中的關(guān)鍵材料，芯片制造要根據(jù)具體的版圖（物理設(shè)計(jì)，layout）設(shè)計(jì)出掩模板，然后通過光刻（光線通過掩模板，利用光刻膠對(duì)裸片襯底等產(chǎn)生影響）形成一層層的結(jié)構(gòu)，后形成3D立體電路結(jié)構(gòu)，從而產(chǎn)生Die（裸片）。工藝的發(fā)展，光刻機(jī)的發(fā)展，材料學(xué)的同步發(fā)展才能促進(jìn)摩爾定律的發(fā)展。

　　

　　MicroChem光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是大大促進(jìn)了光刻膠的研究開發(fā)和應(yīng)用。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。

　　

　　MicroChem光刻膠的技術(shù)復(fù)雜，品類較多，根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理可分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠；反之，對(duì)某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠做涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

　　

　　MicroChem光刻膠參數(shù)主要包括以下幾種：

　　

　　1）分辨率，用關(guān)鍵尺寸（摩爾定律）來衡量分辨率；

　　

　　2）對(duì)比度，光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過度的陡度，會(huì)對(duì)芯片制造良率產(chǎn)生影響；

　　

　　3）粘滯性粘度，衡量光刻膠流動(dòng)特性的參數(shù)；

　　

　　4）敏感度，產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的小能量值（小曝光量）；

　　

　　5）粘附性，粘附于襯底的強(qiáng)度；

　　

　　6)抗蝕性，光刻膠要保持粘附在襯底上并在后續(xù)刻蝕工序中保護(hù)襯底表面；