目前,MEMS 發(fā)展迅速,已廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、軍事、航空、航天、汽車工業(yè)等領(lǐng)域。MEMS 種類繁多,如 MEMS 傳感器、MEMS 執(zhí)行器和 光MEMS 等,而各種薄膜在MEMS制造加工工藝中充當(dāng)了重要角色。
根據(jù) MEMS 加工工藝需要,往往需要制作各種不同厚度的薄膜,薄膜厚度對(duì)工藝、后成型的器件性質(zhì)有至關(guān)重要的影響。隨著薄膜厚度的變化其性質(zhì)往往也出現(xiàn)不同,精確測(cè)量各種功能薄膜的厚度值在 MEMS 制造加工領(lǐng)域有非常重要的意義。
下面小編來介紹幾種測(cè)量薄膜厚度的方法研究和對(duì)比:
利用觸針直接同樣品接觸的方式進(jìn)行測(cè)量,觸針以恒定的接觸力從樣品表面劃過從而得到樣品輪廓曲線,直接在此曲線上測(cè)量即可得到膜厚值,因此,測(cè)量時(shí)需存在一個(gè)膜層的臺(tái)階,利用電感測(cè)微儀和原子力顯微鏡測(cè)量膜厚時(shí)均有這種要求。觸針是以恒定的接觸力從樣品表面劃過,有可能損傷薄膜表面,要根據(jù)薄膜的硬度和后續(xù)工藝需求決定是否選用,對(duì) 10 nm ~ 100 μm 的厚度均可測(cè)量。
測(cè)量薄膜厚度時(shí)需要光束能透過薄膜層,到達(dá)基底層,然后返回探測(cè)器中,因此,該薄膜層需透光或部分波長(zhǎng)透光。是一種無損測(cè)量,但對(duì)膜層的透光性有要求,優(yōu)勢(shì)在于測(cè)量相對(duì)較薄的膜層。
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建立在電磁感應(yīng)基礎(chǔ)上,利用線圈的自感或互感系數(shù)的改變來實(shí)現(xiàn)非電量( 主要是 位移) 測(cè)量的儀器,基準(zhǔn)點(diǎn)和測(cè)量點(diǎn)的選擇對(duì)膜層厚度有一定影響,要盡量使基準(zhǔn)點(diǎn)和測(cè)量點(diǎn)靠近。適用于硬度較高的膜層。
利用電子束在樣品表面掃描,激發(fā)出二次電子、背散射電子、X 射線等信號(hào),檢測(cè)這些信號(hào)得到樣品表面形貌圖,一般會(huì)對(duì)樣品三維尺寸有要求,需觀察樣品的側(cè)面,測(cè)量大于0.7μm的膜厚時(shí)可采用,電子束對(duì)不導(dǎo)電的聚合物樣品會(huì)有損傷。
利用光學(xué)原理將樣品成像經(jīng)物鏡投射至目鏡,將樣品放大成虛像,再進(jìn)行測(cè)量的儀器適用于較薄 (小于0,5 μm) 的膜層,大測(cè)量高度受掃描器伸縮能力的限制;分辨率相對(duì)較低,適用于μm 級(jí)膜層。
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